RN1114MFV(TPL3) datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  RN1114MFV(TPL3)
• Производитель
  TOSHIBA Semiconductor
• Описание
  TOSHIBA Semiconductor RN1114MFV(TPL3) Current - Collector (ic) (max): 100mA Current - Collector Cutoff (max): 500nA Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: VESM Power - Max: 150mW Resistor - Base (r1) (ohms): 1K Resistor - Emitter Base (r2) (ohms): 10K Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250?µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 50V
• Количество страниц
  8 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  206,13 KB

RN1114MFV(TPL3) datasheet скачать

RN1114MFV(TPL3) datasheet